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本技术面向高性能低功耗下一代网络转发应用，提出具有交换/缓存/调度/供电功能的可重构标准底座架构，采用55nm工艺节点制造了功能晶圆，突破了在含有Low-k结构的有源晶圆上通过封装工艺制造TSV的关键技术瓶颈，成功开发了有源硅转接板的TSV全流程制造工艺，并实现了4颗网络处理芯粒在有源TSV转接板上的三维堆叠，形成了3D Chiplet模组，该模组可实现柔性可重构、低延时的网络转发能力，提升了我国在该技术的核心竞争力。

本技术在协同设计方面，进行了全新的3D Chiplet架构设计，提出具有交换/缓存/调度/供电功能的可重构标准底座架构；引入了新的数学建模方法，将封装基板的规划与多芯片堆叠相结合，解决了三维多芯片堆叠及封装协同的设计困难，经过算法优化，多层芯片利用率均在90％附近；有源硅转接板上集成了电源模块、存储、路由等功能，突破了多die和有源硅转接板和基板的协同设计，解决了3D Chiplet电源配送网络设计难的问题，相比于传统在基板上集成电源的方案，片上集成方案减少了83.9％的焦耳热损耗，TSV路径的最大电流密度减小了60.2％，在10GHz下，电压噪声ripple由2％降为1.67％，该构架可实现柔性可重构、低延时的网络转发能力。

本技术在三维集成封装方案方面，提出了兼容封装工艺和装备的有源硅转接板via-last TSV制造新方案，实现了有源TSV转接板的制造，打破了晶圆厂via-middle TSV制作有源硅转接板方案的技术垄断，填补了国内的空白。针对有源硅转接板的Low-K层刻蚀问题、Low-K层吸水影响电性能问题，提出双台阶TSV结构，并在TSV刻蚀前通过沉积无机介质层对low-k层侧面进行保护以解决刻蚀和吸水等问题，最终打通整个工艺流程，并保证了良好的电学互连性能。通过对TSV关键工艺的攻关，最终实现了10*100μm TSV、正面3层金属互连、背面1层金属互连、最小线宽/线距为10μm/10μm、面积为22.05mm×19.8mm的有源硅转接板的制造。同时，基于制造的有源硅转接板实现了4颗网络处理芯片的集成，开辟了3D Chiplet的全新集成方案。