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公司自主开发针对28-14nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层（5nm）上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足先进工艺的镀铜需求。盛美上海是全球少数几家掌握芯片铜互连电镀铜技术核心专利并实现产业化的公司之一，满足55nm、40nm、28nm及20-14nm以下技术节点的前道铜互连双大马士革工艺，打破了美国Lam Research公司在该领域的长期垄断局面，综合技术达到国内领先和国际先进水平。该技术可延伸至7nm更先进制程的电镀钴应用。盛美上海另外开发了先进封装电镀设备和第三代半导体设备，其中先进封装电镀设备有力支撑了国内Chiplet新赛道。盛美全系列电镀设备全球市占率6%，排名第三，国产电镀设备占比100%。