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晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。公司自主研发的 SAPS（空间交变相位移） 兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。该技术荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖，瞄准集成电路高端单片清洗设备应用领域，全球首创的拥有自主知识产权的SAPS兆声波清洗技术，有效解决了硅片表面兆声波能量分布均匀性的世界性难题。SAPS技术目前已应用于逻辑28nm技术节点及DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片14nm、DRAM 17/16nm技术节点、32/64/128层3D NAND、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应用，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路FinFET结构清洗中有近20步应用。2011年，盛美上海在全球首次推出高端单片兆声波清洗设备，进入国际一流集成电路生产线，单步清洗的产出成品率比国外同类非兆声波清洗设备高出1%左右。以该技术为基础，盛美上海开发了多种系列清洗设备，满足14nm及以下工艺应用，技术覆盖90%以上清洗工艺；全球市场占比7%，排名第五，国内市占率30%左右，国产供应商第一，12寸清洗设备占比85%。