三星HBM遭受重创，没通过英伟达测试
据路透社报道，三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片由于发热和功耗问题，尚未通过英伟达的测试，美国公司对人工智能处理器的测试被迫暂停。
消息人士表示，这些问题影响了三星的HBM3芯片，这是目前人工智能图形处理单元(GPU)中最常用的第四代HBM标准，也影响了这家韩国科技巨头及其竞争对手今年将推向市场的第五代HBM3E芯片。
三星未能通过Nvidia测试的原因首次被报道。
三星在给路透社的声明中表示，HBM是一种定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。该公司拒绝对具体客户发表评论。
Nvidia拒绝发表评论。
HBM是一种动态随机存取存储器或DRAM标准，于2013年首次推出，其中的芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，有助于处理由复杂的AI应用程序产生的大量数据。随着生成式AI热潮的兴起，对复杂GPU的需求飙升，对HBM的需求也随之飙升。
满足Nvidia（其占据全球AI应用GPU市场约80%的份额）被视为HBM制造商未来增长的关键（无论是在声誉方面还是在利润势头方面）。
三位消息人士称，三星自去年以来一直在努力通过Nvidia的HBM3和HBM3E测试。据两位消息人士称，三星8层和12层HBM3E芯片最近一次测试失败的结果于4月公布。
目前尚不清楚这些问题是否可以轻松解决，但三位消息人士表示，未能满足Nvidia的要求已加剧了业界和投资者的担忧，他们担心三星在HBM方面可能会进一步落后于竞争对手SK Hynix以及美光科技。
其中两位消息人士听取了三星高管关于此事的汇报，由于信息属于机密，消息人士不愿透露姓名。
与三星形成鲜明对比的是，他们在韩国的竞争对手SK海力士是Nvidia的主要HBM芯片供应商，自2022年6月以来一直供应HBM3。该公司还于3月底开始向一位不愿透露姓名的客户供应HBM3E。消息人士称，这些芯片已运往Nvidia。
美光是另一家主要的HBM制造商，该公司也表示将向Nvidia提供HBM3E。
分析师表示，此举似乎凸显了三星对其在HBM领域落后地位的担忧。三星本周更换了其半导体部门负责人，称需要一位新人来应对这场影响行业的“危机”。
KB Securities研究主管Jeff Kim表示，市场一直期待三星作为全球最大的内存芯片制造商能够迅速通过Nvidia的测试，但HBM等专业产品需要一段时间才能满足客户的性能评估，这也是自然而然的。
虽然三星尚未成为Nvidia的HBM3供应商，但它确实为Advanced Micro Devices等客户提供产品，，并计划在第二季度开始量产HBM3E芯片。三星在给路透社的声明中表示，其产品进度正在按计划进行。
分析人士还表示，2013年开发出首款HBM芯片的SK海力士，过去10年在HBM研发上投入的时间和资源远远超过三星，这是其技术优势所在。
三星在声明中表示，其于2015年开发出首个用于高性能计算的商用HBM解决方案，此后一直持续对HBM进行投资。
消息人士还表示，Nvidia和AMD等GPU制造商渴望三星完善其HBM芯片，这样他们就可以拥有更多的供应商选择，并削弱SK Hynix的定价能力。
在3月份的Nvidia AI大会上，Nvidia首席执行官黄仁勋在三星展位上签署了一块牌子，上面写着“黄仁勋批准”三星的12层HBM3E，这凸显了该公司对三星供应这些芯片的前景的热情。
据研究公司Trendforce称，HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品，出货量集中在2024年下半年。
另外，SK Hynix估计，到2027年，HBM内存芯片的总体需求可能以每年82%的速度增长。
分析师表示，三星在HBM领域相对弱势的地位已引起投资者的关注。今年迄今，三星股价持平，而SK海力士股价上涨41%，美光股价上涨48%。
参考链接
https://www.reuters.com/technology/samsungs-hbm-chips-failing-nvidia-tests-due-heat-power-consumption-woes-sources-2024-05-23/
